品牌	LX封裝	型號	1W610nm	芯片品牌	光宏
顏色	橙色	封裝形式	大功率型	膠體品牌	道康寧
金線材料	金線	材料	硅(Si)	是否進(jìn)口	是
種類	發(fā)光二極管	加工定制	是	形狀	方片

1、芯片：采用美國普瑞、旭明、科瑞，臺灣晶元、奇力、光宏等芯片。

2、硅膠：采用 道康寧 日本信越 優(yōu)質(zhì)硅膠膠水；

3、熒光粉：采用英特美或豐田合成的熒光粉

4、支架：紫銅鍍銀
5、光衰：5000小時(shí)小于3%。
6、單顆1W白光可以做到80-90lm 90-100lm 100-110lm 110-120--130LM
7、有專家級的技術(shù)指導(dǎo)，質(zhì)量有保障；產(chǎn)品定價(jià)合理；常用產(chǎn)品都有庫存，無庫存的一般3-5天可交貨

1 st, chip: Uses the American Pu Switzerland, the rising sun to be bright, branch Switzerland, Taiwan crystal Yuan, wonderful strength, light great and so on chips.2, silica gel: Using Healthy and peaceful Japanese letter higher quality silica gel glue water;3, luminous powder: Uses UK to be especially beautiful luminous powder4 which, the support or Toyota synthesizes: The red copper plates with silver5, the light to fade: 5000 hours are smaller than 3%.6, the single 1W white light may achieve 80-90lm 90-100lm 100-110lm 110-120--130LM7, has the expert technical guidance, the quality has the safeguard; Product price sensibly; The commonly used product has the stock, the non-stock's general 3-5 days may deliver

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尺寸圖:

Absolute Maximum
Ratings at Ta=25℃

Item	Symbol	Absolute Maximum Rating	Unit
DC Forwar Curren dt	IF	350	mA
Peak Forward Current	IF	500	mA
Reverse Voltage	VR	5	V
Power Dissipation	PD	1000	mw
Electrostatic discharge	ESD	±4500	V
Operation Temperature	Topr	-40~+80	℃
Storage Temperature	Tstg	-40~+100	℃
LeadSoldering Temperature	Tsol	Max.260℃ for 6 seconds Max.
Life test	----	1000 HLuminous intensity weaken<5%(350mA,Ta=65度); 50,000H Luminous intensity weaken<20% (350mA,Ta=65度);

Notes:

* IFP Conditions: pulse Width≤10msec.

* All high power emitter LED products mounted on aluminum metal-core
printed circuit board, can be

lighted directly, but we do not
recommend lighting the high power products for more than 5 seconds

without a appropriate heat dissipation
equipment.

Electrical Optical Characteristics at Ta=25℃

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.8	---	2.0	v	If=350mA
Reverse Current	IR	---	---	50	uA	VR=5v
50% Power Angle	2θ1/2	---	140	---	deg	IF=350mA
Luminous Intensity	φV	40	---	50	lm	IF=350mA
Chromaticity	λd	600	---	610	nm	IF=350mA

Notes:1.Tolerance of measurement of forward
voltage±0.1V.

2.Tolerance of measurement of peak
Wavelength±2.0nm.

3.Tolerance of measurement
of luminous intensity±15%.

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大功率LED產(chǎn)品安全使用說明

大功率LED產(chǎn)品及器件在應(yīng)用過程中，散熱、靜電防護(hù)、焊接對其特性有著很大影響，需要引起應(yīng)用端客戶的高度重視。

　　一、散熱：

　　由于目前半導(dǎo)體發(fā)光二極管晶片技術(shù)的限制，LED的光電轉(zhuǎn)換效率還有待提高，尤其是大功率LED，因其功率較高，大約有60%以上的電能將變成熱能釋放（隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光電轉(zhuǎn)換效率會(huì)逐漸提高），這就要求終端客戶在應(yīng)用大功率LED產(chǎn)品的時(shí)候，要做好散熱工作，以確保大功率LED產(chǎn)品正常工作。

1．散熱片要求。

　　外型與材質(zhì)：如果成品密封要求不高，可與外界空氣環(huán)境直接發(fā)生對流，建議采用帶鰭片的鋁材或銅材散熱片。

2．有效散熱表面積：

　　對于1W大功率LED白光（其他顏色基本相同）我司推薦散熱片有效散熱表面積總和≥50-60平方厘米。對于3W產(chǎn)品，推薦散熱片有效散熱表面積總和≥150平方厘米，更高功率視情況和試驗(yàn)結(jié)果增加，盡量保證散熱片溫度不超過60℃。

3．連接方法：

　　大功率LED基板與散熱片連接時(shí)請保證兩接觸面平整，接觸良好，為加強(qiáng)兩接觸面的結(jié)合程度，建議在LED基板底部或散熱片表面涂敷一層導(dǎo)熱硅脂（導(dǎo)熱硅脂導(dǎo)熱系數(shù)≥3.0W/m.k），導(dǎo)熱硅脂要求涂敷均勻、適量，再用螺絲壓合固定。

　　二、靜電防護(hù)。

LED屬半導(dǎo)體器件，對靜電較為敏感，尤其對于白、綠、藍(lán)、紫色LED要做好預(yù)防靜電產(chǎn)生和消除靜電工作。

1．靜電的產(chǎn)生：

　　①摩擦：在日常生活中，任何兩個(gè)不同材質(zhì)的物體接觸后再分離，即可產(chǎn)生靜電，而產(chǎn)生靜電的最常見的方法，就是摩擦生電。材料的絕緣性越好，越容易摩擦生電。另外，任何兩種不同物質(zhì)的物體接觸后再分離，也能產(chǎn)生靜電。

　　②感應(yīng)：針對導(dǎo)電材料而言，因電子能在它的表面自由流動(dòng)，如將其置于一電場中，由于同性相斥，異性相吸，正負(fù)離子就會(huì)轉(zhuǎn)移，在其表面就會(huì)產(chǎn)生電荷。

　　③傳導(dǎo)：針對導(dǎo)電材料而言，因電子能在它的表面自由流動(dòng)，如與帶電物體接觸，將發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移。

2．靜電對LED的危害：

　　①因瞬間的電場或電流產(chǎn)生的熱，使LED局部受傷，表現(xiàn)為漏電流迅速增加，仍能工作，但

亮度降低，壽命受損。

　　②因電場或電流破壞LED的絕緣層，使器件無法工作（完全破壞），表現(xiàn)為死燈。

3.靜電防護(hù)及消除措施：

　　對于整個(gè)工序（生產(chǎn)、測試、包裝等）所有與LED直接接觸的員工都要做好防止和消除靜電措施，主要有

1、車間鋪設(shè)防靜電地板并做好接地。

2、工作臺為防靜電工作臺，生產(chǎn)機(jī)臺接地良好。

3、操作員穿防靜電服、帶防靜電手環(huán)、手套或腳環(huán)。

4、應(yīng)用離子風(fēng)機(jī)。

5、焊接電烙鐵做好接地措施。

6、包裝采用防靜電材料。

　　三、焊接。

1、焊接時(shí)請注意最好選擇恒溫烙鐵，焊接溫度為260℃以下，烙鐵與LED焊盤一次接觸的時(shí)間不超過3S；

2、如為硅膠封裝的大功率LED，硅膠的最高耐熱溫度為180℃，因此LED的焊接溫度不得超過170℃，采用低溫烙鐵及低溫焊錫膏（絲）焊接，烙鐵與LED焊盤一次接觸的時(shí)間不超過3S;

3、如為軟膠體(molding),回流焊溫度保持在260℃即可,請勿用力壓燈珠膠體部分,以避免內(nèi)部結(jié)構(gòu)破壞